Samsung mostra memória HBM5 com tecnologia "emprestada" dos chips Exynos

Lan?amentos 29 Mai

Economia e mercado 25 Mai

Sucessora da HBM4E, cuja estreia está prevista ainda para este ano, as memórias HBM5 têm lançamento aguardado para 2028, e ainda têm poucos detalhes técnicos conhecidos. Além de um óbvio salto na velocidade, sabe-se que esses componentes terão versões de 12, 16 e 20 camadas de DRAM para alta capacidade, e que serão fabricados no processo 1d da classe de 10 nm da empresa sul-coreana.

Com isso dito, a passagem pela Computex revelou que a fabricante pretende apostar em mais uma novidade curiosa: o processo de empacotamento com o Heat Path Block, ou HPB. Conforme o nome indica, a tecnologia cria rotas adicionais para a dissipação de calor, sendo praticamente um cooler embutido na própria memória.

Samsung Electronics has unveiled a physical model of its eighth-generation HBM5 memory for the first time at COMPUTEX 2026 in Taipei. pic.twitter.com/DZskiYVaQT

A promessa é de vermos uma redução significativa na resistência térmica, que garantiria uma operação mais fria e maior estabilidade mesmo sob o estresse extremo das cargas de trabalho de Inteligência Artificial. O que chama atenção aqui é que esse método foi usado pela primeira vez no Exynos 2600, chipset que equipa o Galaxy S26 e o Galaxy S26 Plus.

Testes mostraram que o recurso é promissor: a plataforma para celulares conseguiu superar o rival Snapdragon 8 Elite Gen 5 em uma bateria de benchmarks intensos, mostrando maior consistência. Diante disso, os resultados devem ser ainda melhores neste caso.

Além do HPB, a gigante revelou que a HBM5 será construída com base die (onde está concentrada a parte de processamento da memória) produzida em uma litografia de 2 nm, o que promete entregar um salto significativo tanto em eficiência energética, quanto em desempenho.

9.3 Hardware

7.8 Custo Benef?cio

8.9 Hardware

7.7 Custo Benef?cio

8.8 Hardware

7.5 Custo Benef?cio